以几十电子伏特或更高动能的荷电粒子炮击资料外表，使其溅射出进入气相，可用来刻蚀和镀膜。入射一个离子所溅射出的原子个数称为溅射产额(Yield)产额越高溅射速度越快，以Cu,Au,Ag等最高，Ti,Mo,Ta,W等最低。一般在0.1-10原子/离子。离子能够直流辉光放电(glow discharge)发生，在10-1—10 Pa真空度，在两极间加高压发生放电，正离子会炮击负电之靶材而溅射也靶材，而镀至被镀物上。
正常辉光放电(glow discharge)的电流密度与阴极物质与形状、气体品种压力等有关。溅镀时应尽也许保持其安稳。任何资料皆可溅射镀膜，即便高熔点资料也简单溅镀，但对非导体靶材须以射频(RF)或脉冲(pulse)溅射;且因导电性较差，溅镀功率及速度较低。金属溅镀功率可达10W/cm2，非金属<5W/cm2
二极溅镀射：靶材为阴极，被镀工件及工件架为阳极，气体(氩气Ar)压力约几Pa或更高方可得较高镀率。
磁控溅射：在阴极靶外表构成一正交电磁场，在此区电子密度高，进而进步离子密度，使得溅镀率进步(一个数量级)，溅射速度可达0.1—1 um/min膜层附着力较蒸镀佳，是现在最有用的镀膜技能之一。
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